Пластины CZ/MCZ шлифованные — тип кремниевых пластин, используется в полупроводниковой промышленности для производства интегральных схем. Благодаря магнитному полю, который прикладывается к стандартному вытяжению слитков CZ (Чохральски), монокристаллический кремний MCZ (индуцированный магнитным полем) имеет более низкую концентрацию примеси, более низкий уровень кислорода, а также более равномерное изменение удельной проводимости.Процесс шлифовки включает в себя использование алмазного инструмента для удаления материала с пластины до тех пор, пока она не достигнет желаемой толщины. Пластины CZ/MCZ используются в различных сферах, включая микросхемы памяти, микропроцессоры и другие электронные устройства.

Монокристаллические пластины кремния с плавающей зоной FZ представляют собой чистый кремний сверхнизкой концентрации кислорода и углерода, выращенный по технологии плавающей зоны с вертикальной ориентацией. Этот метод отличается от CZ(Чохральского), который использует кристалл-заготовку в качестве затравки для выращивания монокристалла кремния. Плавающая зона обеспечивает однородное легирование, низкое удельное сопротивление, ограниченный набор примесей, долгий срок службы носителей и высокую чистоту кремния. Кремний с плавающей зоной FZ является высокочистой альтернативой CZ и подходит для производства электронных компонентов, таких как диоды, транзисторы, МОП-транзисторы, MEMS и другие.

CZ Кремниевые пластины изготавливаются методом Чохральского, который позволяет получать кристаллы высокой чистоты и точности из слитков кремния, впоследствии пластины используются в полупроводниковой индустрии.

Пластины CZ/MCZ шлифованные — тип кремниевых пластин, используется в полупроводниковой промышленности для производства интегральных схем. Благодаря магнитному полю, который прикладывается к стандартному вытяжению слитков CZ (Чохральски), монокристаллический кремний MCZ (индуцированный магнитным полем) имеет более низкую концентрацию примеси, более низкий уровень кислорода, а также более равномерное изменение удельной проводимости.Процесс шлифовки включает в себя использование алмазного инструмента для удаления материала с пластины до тех пор, пока она не достигнет желаемой толщины. Пластины CZ/MCZ используются в различных сферах, включая микросхемы памяти, микропроцессоры и другие электронные устройства.

Монокристаллические пластины кремния с плавающей зоной FZ представляют собой чистый кремний сверхнизкой концентрации кислорода и углерода, выращенный по технологии плавающей зоны с вертикальной ориентацией. Этот метод отличается от CZ(Чохральского), который использует кристалл-заготовку в качестве затравки для выращивания монокристалла кремния. Плавающая зона обеспечивает однородное легирование, низкое удельное сопротивление, ограниченный набор примесей, долгий срок службы носителей и высокую чистоту кремния. Кремний с плавающей зоной FZ является высокочистой альтернативой CZ и подходит для производства электронных компонентов, таких как диоды, транзисторы, МОП-транзисторы, MEMS и другие.

CZ Кремниевые пластины изготавливаются методом Чохральского, который позволяет получать кристаллы высокой чистоты и точности из слитков кремния, впоследствии пластины используются в полупроводниковой индустрии.

Пластины CZ/MCZ шлифованные — тип кремниевых пластин, используется в полупроводниковой промышленности для производства интегральных схем. Благодаря магнитному полю, который прикладывается к стандартному вытяжению слитков CZ (Чохральски), монокристаллический кремний MCZ (индуцированный магнитным полем) имеет более низкую концентрацию примеси, более низкий уровень кислорода, а также более равномерное изменение удельной проводимости.Процесс шлифовки включает в себя использование алмазного инструмента для удаления материала с пластины до тех пор, пока она не достигнет желаемой толщины. Пластины CZ/MCZ используются в различных сферах, включая микросхемы памяти, микропроцессоры и другие электронные устройства.

Монокристаллические пластины кремния с плавающей зоной FZ представляют собой чистый кремний сверхнизкой концентрации кислорода и углерода, выращенный по технологии плавающей зоны с вертикальной ориентацией. Этот метод отличается от CZ(Чохральского), который использует кристалл-заготовку в качестве затравки для выращивания монокристалла кремния. Плавающая зона обеспечивает однородное легирование, низкое удельное сопротивление, ограниченный набор примесей, долгий срок службы носителей и высокую чистоту кремния. Кремний с плавающей зоной FZ является высокочистой альтернативой CZ и подходит для производства электронных компонентов, таких как диоды, транзисторы, МОП-транзисторы, MEMS и другие.

CZ Кремниевые пластины изготавливаются методом Чохральского, который позволяет получать кристаллы высокой чистоты и точности из слитков кремния, впоследствии пластины используются в полупроводниковой индустрии.